Среди индуктивных датчиков особое место занимают магнитоупругие датчики, принцип которых основан на изменении магнитной проницаемости под действием механической силы.
Конструкция представляет собой магнитопровод 1 с четырьмя симметрично расположенными отверстиями, в которых размещены две обмотки - 2 и 3. Причем плоскости этих обмоток взаимно перпендикулярны, обмотка 3 питается переменным напряжением, а обмотка 2 является измерителем.
При полной симметрии и изотропности материала индуктивная связь между обмотками отсутствует, так как магнитный поток 3 не пересекает вторичную. ЭДС обмотки 2 при отсутствии механического напряжения в материале магнитопровода = 0. При воздействии механического усилия Q нарушается изотропность материала вследствие изменения магнитных свойств под действием упругих напряжений магнитного потока 3. При этом часть потока обмотки 3 пересекает витки обмотки 2, в результате чего в последней наводится ЭДС, возрастающая с увеличением действующего на магнитопровод усилия.